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伊藤忠プラスチックス株式会社

法人番号:1011001042970

伊藤忠プラスチックス株式会社は、 大林 稔男を代表者とする、 東京都千代田区一番町21番地にある法人です。

基本情報

法人番号
1011001042970
法人名称/商号
伊藤忠プラスチックス株式会社
法人名称/商号(カナ)
イトウチュウプラスチックス
法人名称/商号(英語)
-
所在地
〒1020082
東京都千代田区一番町21番地
代表者
代表取締役社長  大林 稔男
資本金
-
従業員数

480人

営業品目
-
事業概要

①各種包装材料の販売(コンビニ、外食産業、食品メーカー向け等の容器包装材料、文具関連資材、医薬品包装資材等) ②電子デバイス材料の販売と輸出入(液晶テレビ、携帯電話、パソコン、二次電池用途等の液晶、光学、半導体デバイス) ③産業資材の販売(住宅・土木・海洋資材等、LED照明・看板、太陽光発電関連、オフィスのデザイン設計・施工、什器・備品販売) ④合成樹脂原料・板素材・製品の販売と輸出入(自動車・家電OA機器・半導体装置関連、工業部材、店舗看板他)

ウェブサイト
http://www.itc-ps.co.jp/index.html
設立年月日
-
創業年
-
データ最終更新日
2018年04月11日

届出認定情報

  • 2003年04月01日

    アルコール事業

    販売事業者

    府省:経済産業省

表彰情報

  • 両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

    府省
    厚生労働省
  • 女性の活躍推進企業

    府省
    厚生労働省

特許情報

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C23C 16/08
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C23C 16/34
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C30B 19/02
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C30B 25/20
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C30B 29/38
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    C30B 29/38 D
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    H01L 21/205
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    H01L 21/208
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2014041080

    2014年03月03日
    特許分類
    H01L 21/208 D
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

  • 特許 2015541623

    2014年10月08日
    特許分類
    C30B 29/38
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶の製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2015541623

    2014年10月08日
    特許分類
    C30B 29/38 D
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶の製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 商標 2016072769

    2016年07月06日
    商標コード
    35
    広告、事業の管理又は運営及び事務処理及び小売又は卸売の業務において行われる顧客に対する便益の提供

    表示用商標

    §CIPS

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C23C 16/34
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C23C 16/455
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C30B 25/02
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C30B 25/02 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C30B 25/14
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C30B 29/38
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    C30B 29/38 D
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 特許 2016556594

    2015年10月28日
    特許分類
    H01L 21/205
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    III族元素窒化物結晶製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびIII族元素窒化物結晶製造装置

  • 商標 2017016823

    2017年02月14日
    商標コード
    35
    広告、事業の管理又は運営及び事務処理及び小売又は卸売の業務において行われる顧客に対する便益の提供

    表示用商標

    §CIPS

  • 意匠 2018010374

    2018年05月14日
    意匠分類
    F491200
    包装紙、包装用容器等

    意匠に係る物品

    包装用容器の蓋

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/03
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/03 C
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/08
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/08 611B
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/22
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

  • 特許 2010115861

    2010年05月20日
    特許分類
    B60H 1/22 611C
    車両一般
    テーマコード
    3L211

    発明の名称

    車両用暖房装置の加熱ユニット

職場情報

平均継続勤務年数

範囲:正社員

男性:12.1

女性:10.0

正社員の平均:-

従業員の平均年齢
-
月平均所定外労働時間
-
女性労働者の割合

範囲:正社員

33.3%

管理職人数

-

役員人数

-

育児休業取得者

対象者:男性 -人、女性 -人

取得者:男性 -人、女性 -人