株式会社豊島製作所

基本情報

法人番号

1030001071094

法人名称/商号

株式会社豊島製作所

法人名称/商号（カナ）

トシマセイサクショ

法人名称/商号（英語）

-

所在地

〒3550036
埼玉県東松山市大字下野本１４１４番地

代表者

-

資本金

-

従業員数

-

営業品目

-

事業概要

-

設立年月日

-

創業年

-

データ最終更新日

2018年11月16日

表彰情報

• 地域未来牽引企業

  2020年10月13日

  対象

  ２０２０

  府省

  経済産業省

特許情報

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  B22F 3/10
  鋳造; 粉末冶金

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  B22F 3/10 F
  鋳造; 粉末冶金

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  C22C 28/00
  冶金; 鉄または非鉄合金; 合金の処理または非鉄金属の処理

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  C22C 28/00 B
  冶金; 鉄または非鉄合金; 合金の処理または非鉄金属の処理

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  H01L 35/16
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2014013468

  2014年01月28日

  特許分類

  H01L 35/34
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F091

  発明の名称

  熱電変換材料

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C01B 25/30
  無機化学

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C01B 25/30 Z
  無機化学

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C23C 14/14
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C23C 14/14 D
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C23C 14/16
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C23C 14/16 Z
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  C23C 14/35
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01B 1/06
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01B 1/06 A
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01B 13/00
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01B 13/00 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 4/13
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 4/139
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 4/62
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 4/62 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 10/052
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 10/0562
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2015039310

  2015年02月27日

  特許分類

  H01M 10/058
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G071

  発明の名称

  Ｌｉイオン伝導性微粒子及びその製造方法、アモルファスＬｉＰＯＮ微粒子の製造方法、電解質層及び電極層の製造方法、リチウムイオン二次電池及びその製造方法

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C04B 35/04
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C04B 35/04 Z
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C04B 37/00
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C04B 37/00 B
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C23C 14/08
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C23C 14/08 J
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C23C 14/34
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2016089455

  2016年04月27日

  特許分類

  C23C 14/34 A
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  スパッタリングターゲット

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C04B 35/00
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C04B 35/00 J
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C04B 35/64
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C04B 35/64 A
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C04B 35/64 H
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C23C 14/34
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2010269204

  2010年12月02日

  特許分類

  C23C 14/34 A
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G030

  発明の名称

  ＩＧＺＯ焼結体及びその製造方法

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/00
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/00 J
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/00 P
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/00 R
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/10
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/10 Z
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/453
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C04B 35/457
  セメント; コンクリ－ト; 人造石; セラミックス; 耐火物

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C23C 14/34
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C23C 14/34 A
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  C23C 14/34 C
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  H01L 21/203
  基本的電気素子

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  H01L 21/203 S
  基本的電気素子

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  H01L 21/316
  基本的電気素子

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置

• 特許　2011005201

  2011年01月13日

  特許分類

  H01L 21/316 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  4K029

  発明の名称

  ターゲット、およびこれを備えた成膜装置