法人情報を詳細検索

全国法人総覧

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

法人番号:9110001012818

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社は、 新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861番地5にある法人です。

基本情報

法人番号
9110001012818
法人名称/商号
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
法人名称/商号(カナ)
グローバルウェーハズジャパン
法人名称/商号(英語)
-
所在地
〒9570101
新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861番地5
代表者
-
資本金
-
従業員数

-

営業品目
-
事業概要

-

設立年月日
-
創業年
-
データ最終更新日
2018年04月17日

届出認定情報

  • 2021年09月17日

    PRTR

    電気機械器具製造業

    部門:経済産業大臣

    府省:経済産業省

  • 2021年09月17日

    PRTR

    電気機械器具製造業

    部門:経済産業大臣

    府省:経済産業省

  • 2021年09月17日

    PRTR

    電気機械器具製造業

    部門:経済産業大臣

    府省:経済産業省

  • 2021年09月17日

    PRTR

    電気機械器具製造業

    部門:経済産業大臣

    府省:経済産業省

表彰情報

  • 両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

    府省
    厚生労働省

補助金情報

  • 電力需要の低減に資する設備投資支援事業費補助金

    2019年08月30日

    855,000

    府省
    資源エネルギー庁
    補助金財源
    一般社団法人環境共創イニシアチブ

特許情報

  • 特許 2014263895

    2014年12月26日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ熱処理用支持治具

  • 特許 2014263895

    2014年12月26日
    特許分類
    H01L 21/26 Q
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ熱処理用支持治具

  • 特許 2014263895

    2014年12月26日
    特許分類
    H01L 21/68 N
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ熱処理用支持治具

  • 特許 2014263895

    2014年12月26日
    特許分類
    H01L 21/683
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ熱処理用支持治具

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    G01N 21/64
    測定; 試験
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    G01N 21/64 Z
    測定; 試験
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 21/336
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 21/66 L
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 29/739
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 29/78
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 29/78 655Z
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014044619

    2014年03月07日
    特許分類
    H01L 29/78 658L
    基本的電気素子
    テーマコード
    2G043

    発明の名称

    飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

  • 特許 2014082050

    2014年04月11日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2014082050

    2014年04月11日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2014082050

    2014年04月11日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2014082050

    2014年04月11日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2014082050

    2014年04月11日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2014107545

    2014年05月23日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

  • 特許 2014107545

    2014年05月23日
    特許分類
    H01L 21/66 L
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

  • 特許 2014171063

    2014年08月26日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶

  • 特許 2014171063

    2014年08月26日
    特許分類
    C30B 29/06 A
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶

  • 特許 2014171063

    2014年08月26日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶

  • 特許 2014180777

    2014年09月05日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶製造方法

  • 特許 2014180777

    2014年09月05日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶製造方法

  • 特許 2014180777

    2014年09月05日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶製造方法

  • 特許 2014180777

    2014年09月05日
    特許分類
    C30B 29/06 502K
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶製造方法

  • 特許 2014203789

    2014年10月02日
    特許分類
    C23C 16/44
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    5F045

    発明の名称

    サセプタの洗浄方法

  • 特許 2014203789

    2014年10月02日
    特許分類
    C23C 16/44 J
    金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    テーマコード
    5F045

    発明の名称

    サセプタの洗浄方法

  • 特許 2014203789

    2014年10月02日
    特許分類
    H01L 21/205
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F045

    発明の名称

    サセプタの洗浄方法

  • 特許 2014203789

    2014年10月02日
    特許分類
    H01L 21/302 101H
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F045

    発明の名称

    サセプタの洗浄方法

  • 特許 2014203789

    2014年10月02日
    特許分類
    H01L 21/3065
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F045

    発明の名称

    サセプタの洗浄方法

  • 特許 2015000046

    2015年01月05日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2015000046

    2015年01月05日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2015000046

    2015年01月05日
    特許分類
    C30B 31/08
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2015000046

    2015年01月05日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2015075131

    2015年04月01日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2015075131

    2015年04月01日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2015075131

    2015年04月01日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2015075131

    2015年04月01日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2015075131

    2015年04月01日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2016074967

    2016年04月04日
    特許分類
    H01L 21/304
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体基板の保護膜形成方法

  • 特許 2016074967

    2016年04月04日
    特許分類
    H01L 21/304 622G
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体基板の保護膜形成方法

  • 特許 2016074967

    2016年04月04日
    特許分類
    H01L 21/304 622P
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体基板の保護膜形成方法

  • 特許 2016087647

    2016年04月26日
    特許分類
    H01L 21/308
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

  • 特許 2016087647

    2016年04月26日
    特許分類
    H01L 21/308 B
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

  • 特許 2016087647

    2016年04月26日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

  • 特許 2016087647

    2016年04月26日
    特許分類
    H01L 21/66 N
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

  • 特許 2016088844

    2016年04月27日
    特許分類
    G01N 27/04
    測定; 試験
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    金属汚染濃度分析方法

  • 特許 2016088844

    2016年04月27日
    特許分類
    G01N 27/04 Z
    測定; 試験
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    金属汚染濃度分析方法

  • 特許 2016088844

    2016年04月27日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    金属汚染濃度分析方法

  • 特許 2016088844

    2016年04月27日
    特許分類
    H01L 21/66 C
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    金属汚染濃度分析方法

  • 特許 2016088844

    2016年04月27日
    特許分類
    H01L 21/66 N
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    金属汚染濃度分析方法

  • 商標 2017020818

    2017年02月21日
    商標コード
    1
    工業用、科学用又は農業用の化学品

    表示用商標

    GW∞GlobalWafers Co.,Ltd.\環球晶圓股▲ふん▼有限公司

  • 商標 2017020818

    2017年02月21日
    商標コード
    9
    科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

    表示用商標

    GW∞GlobalWafers Co.,Ltd.\環球晶圓股▲ふん▼有限公司

  • 商標 2017020818

    2017年02月21日
    商標コード
    40
    物品の加工その他の処理

    表示用商標

    GW∞GlobalWafers Co.,Ltd.\環球晶圓股▲ふん▼有限公司

  • 商標 2010037799

    2010年05月14日
    商標コード
    9
    科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

    表示用商標

    ECAS

  • 特許 2010031968

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010031968

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010031968

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010031968

    2010年02月17日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010031968

    2010年02月17日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010032103

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010032103

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010032103

    2010年02月17日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010032103

    2010年02月17日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010032103

    2010年02月17日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010099770

    2010年04月23日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010099770

    2010年04月23日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010099770

    2010年04月23日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010099770

    2010年04月23日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010099770

    2010年04月23日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010148827

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 15/20
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2010148827

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2010148827

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 29/06 A
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010149974

    2010年06月30日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    B24B 37/04
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    B24B 37/04 Z
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    B24B 49/02
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    B24B 49/02 Z
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    B24B 49/12
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    H01L 21/304
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    H01L 21/304 621B
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010170012

    2010年07月29日
    特許分類
    H01L 21/304 622R
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010191256

    2010年08月27日
    特許分類
    B24B 37/04
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010191256

    2010年08月27日
    特許分類
    B24B 37/04 D
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010191256

    2010年08月27日
    特許分類
    H01L 21/304
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010191256

    2010年08月27日
    特許分類
    H01L 21/304 622R
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010191256

    2010年08月27日
    特許分類
    H01L 21/304 622W
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    研磨装置及び研磨方法

  • 特許 2010207558

    2010年09月16日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2010207558

    2010年09月16日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2010207558

    2010年09月16日
    特許分類
    C30B 15/22
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2010207558

    2010年09月16日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2010207558

    2010年09月16日
    特許分類
    C30B 29/06 502J
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    B24B 37/04
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    B24B 37/04 F
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    B24B 37/04 K
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    B24B 49/10
    研削; 研磨
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    H01L 21/304
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    H01L 21/304 621A
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010208924

    2010年09月17日
    特許分類
    H01L 21/304 622S
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F057

    発明の名称

    半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010213861

    2010年09月24日
    特許分類
    H01L 21/26 T
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010234592

    2010年10月19日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010234592

    2010年10月19日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2010234592

    2010年10月19日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 29/06 502J
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011041574

    2011年02月28日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011062577

    2011年03月22日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011068925

    2011年03月25日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

  • 特許 2011068925

    2011年03月25日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

  • 特許 2011068925

    2011年03月25日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

  • 特許 2011068925

    2011年03月25日
    特許分類
    C30B 29/06 502K
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

  • 特許 2011072339

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 15/20
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2011072339

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2011072339

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 29/06 502J
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2011072339

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 29/06 502K
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    H01L 21/324 Q
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011072584

    2011年03月29日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/322 Z
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011076890

    2011年03月30日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011099157

    2011年04月27日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011099157

    2011年04月27日
    特許分類
    C30B 29/06 B
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011099157

    2011年04月27日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011099157

    2011年04月27日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011099157

    2011年04月27日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011122165

    2011年05月31日
    特許分類
    C30B 15/20
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011122165

    2011年05月31日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011122165

    2011年05月31日
    特許分類
    C30B 29/06 502J
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011160431

    2011年07月22日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011160431

    2011年07月22日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011160431

    2011年07月22日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011160431

    2011年07月22日
    特許分類
    C30B 29/06 502G
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011160431

    2011年07月22日
    特許分類
    C30B 29/06 502J
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    単結晶引上方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H01L 27/14 A
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H01L 27/146
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H04N 5/335 740
    電気通信技術
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011184119

    2011年08月25日
    特許分類
    H04N 5/374
    電気通信技術
    テーマコード
    4M118

    発明の名称

    固体撮像素子の製造方法

  • 特許 2011189094

    2011年08月31日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    n型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

  • 特許 2011189094

    2011年08月31日
    特許分類
    H01L 21/66 M
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    n型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

  • 特許 2011189094

    2011年08月31日
    特許分類
    H01L 21/66 Z
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    n型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

  • 特許 2011208810

    2011年09月26日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

  • 特許 2011208810

    2011年09月26日
    特許分類
    H01L 21/324 T
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

  • 特許 2011208810

    2011年09月26日
    特許分類
    H01L 21/324 W
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

  • 特許 2011208810

    2011年09月26日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    C30B 29/06 502Z
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011212385

    2011年09月28日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011229330

    2011年10月19日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2011288926

    2011年12月28日
    特許分類
    C30B 15/36
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011288926

    2011年12月28日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011288926

    2011年12月28日
    特許分類
    C30B 29/06 502F
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011290202

    2011年12月29日
    特許分類
    C30B 15/00
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011290202

    2011年12月29日
    特許分類
    C30B 15/00 Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011290202

    2011年12月29日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2011290202

    2011年12月29日
    特許分類
    C30B 29/06 502Z
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 商標 2012052270

    2012年06月28日
    商標コード
    1
    工業用、科学用又は農業用の化学品

    表示用商標

    GlobalWafers Japan\グローバルウェーハズ・ジャパン

  • 商標 2012052270

    2012年06月28日
    商標コード
    9
    科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

    表示用商標

    GlobalWafers Japan\グローバルウェーハズ・ジャパン

  • 商標 2012052270

    2012年06月28日
    商標コード
    40
    物品の加工その他の処理

    表示用商標

    GlobalWafers Japan\グローバルウェーハズ・ジャパン

  • 商標 2012072514

    2012年09月07日
    商標コード
    1
    工業用、科学用又は農業用の化学品

    表示用商標

    GWJ∞Global Wafers Japan

  • 商標 2012072514

    2012年09月07日
    商標コード
    9
    科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

    表示用商標

    GWJ∞Global Wafers Japan

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    C30B 29/06 A
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/324
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012068976

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/324 X
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの製造方法

  • 特許 2012069258

    2012年03月26日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ

  • 特許 2012069258

    2012年03月26日
    特許分類
    C30B 29/06 A
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ

  • 特許 2012069258

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ

  • 特許 2012069258

    2012年03月26日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    C30B 33/02
    結晶成長
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    H01L 21/26
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    H01L 21/26 F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    H01L 21/26 T
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012196014

    2012年09月06日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハの熱処理方法

  • 特許 2012284815

    2012年12月27日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の引き上げ方法

  • 特許 2012284815

    2012年12月27日
    特許分類
    C30B 29/06 502H
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の引き上げ方法

  • 特許 2013146005

    2013年07月12日
    特許分類
    C30B 29/06
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2013146005

    2013年07月12日
    特許分類
    C30B 29/06 504C
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2013146005

    2013年07月12日
    特許分類
    C30B 29/06 504H
    結晶成長
    テーマコード
    4G077

    発明の名称

    シリコン単結晶の製造方法

  • 特許 2013163958

    2013年08月07日
    特許分類
    H01L 21/322
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2013163958

    2013年08月07日
    特許分類
    H01L 21/322 Y
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F054

    発明の名称

    シリコンウェーハ及びその製造方法

  • 特許 2013209038

    2013年10月04日
    特許分類
    H01L 21/66
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    シリコンウェーハの評価方法

  • 特許 2013209038

    2013年10月04日
    特許分類
    H01L 21/66 N
    基本的電気素子
    テーマコード
    4M106

    発明の名称

    シリコンウェーハの評価方法