グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

基本情報

法人番号

9110001012818

法人名称/商号

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

法人名称/商号（カナ）

グローバルウェーハズジャパン

法人名称/商号（英語）

-

所在地

〒9570101
新潟県北蒲原郡聖籠町東港６丁目８６１番地５

代表者

-

資本金

-

従業員数

-

営業品目

-

事業概要

-

設立年月日

-

創業年

-

データ最終更新日

2018年04月17日

届出認定情報

• 2021年09月17日

  ＰＲＴＲ

  電気機械器具製造業

  部門：経済産業大臣

  府省：経済産業省

• 2021年09月17日

  ＰＲＴＲ

  電気機械器具製造業

  部門：経済産業大臣

  府省：経済産業省

• 2021年09月17日

  ＰＲＴＲ

  電気機械器具製造業

  部門：経済産業大臣

  府省：経済産業省

• 2021年09月17日

  ＰＲＴＲ

  電気機械器具製造業

  部門：経済産業大臣

  府省：経済産業省

表彰情報

• 両立支援のひろば　一般事業主行動計画公表

  府省

  厚生労働省

補助金情報

• 電力需要の低減に資する設備投資支援事業費補助金

  2019年08月30日

  855,000円

  府省

  資源エネルギー庁

  補助金財源

  一般社団法人環境共創イニシアチブ

特許情報

• 特許　2014263895

  2014年12月26日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ熱処理用支持治具

• 特許　2014263895

  2014年12月26日

  特許分類

  H01L 21/26 Q
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ熱処理用支持治具

• 特許　2014263895

  2014年12月26日

  特許分類

  H01L 21/68 N
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ熱処理用支持治具

• 特許　2014263895

  2014年12月26日

  特許分類

  H01L 21/683
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ熱処理用支持治具

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  G01N 21/64
  測定; 試験

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  G01N 21/64 Z
  測定; 試験

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 21/336
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 21/66 L
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 29/739
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 29/78
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 29/78 655Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014044619

  2014年03月07日

  特許分類

  H01L 29/78 658L
  基本的電気素子

  テーマコード

  2G043

  発明の名称

  飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法

• 特許　2014082050

  2014年04月11日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2014082050

  2014年04月11日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2014082050

  2014年04月11日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2014082050

  2014年04月11日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2014082050

  2014年04月11日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2014107545

  2014年05月23日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

• 特許　2014107545

  2014年05月23日

  特許分類

  H01L 21/66 L
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

• 特許　2014171063

  2014年08月26日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶

• 特許　2014171063

  2014年08月26日

  特許分類

  C30B 29/06 A
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶

• 特許　2014171063

  2014年08月26日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶

• 特許　2014180777

  2014年09月05日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶製造方法

• 特許　2014180777

  2014年09月05日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶製造方法

• 特許　2014180777

  2014年09月05日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶製造方法

• 特許　2014180777

  2014年09月05日

  特許分類

  C30B 29/06 502K
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶製造方法

• 特許　2014203789

  2014年10月02日

  特許分類

  C23C 16/44
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  5F045

  発明の名称

  サセプタの洗浄方法

• 特許　2014203789

  2014年10月02日

  特許分類

  C23C 16/44 J
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  5F045

  発明の名称

  サセプタの洗浄方法

• 特許　2014203789

  2014年10月02日

  特許分類

  H01L 21/205
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F045

  発明の名称

  サセプタの洗浄方法

• 特許　2014203789

  2014年10月02日

  特許分類

  H01L 21/302 101H
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F045

  発明の名称

  サセプタの洗浄方法

• 特許　2014203789

  2014年10月02日

  特許分類

  H01L 21/3065
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F045

  発明の名称

  サセプタの洗浄方法

• 特許　2015000046

  2015年01月05日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2015000046

  2015年01月05日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2015000046

  2015年01月05日

  特許分類

  C30B 31/08
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2015000046

  2015年01月05日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2015075131

  2015年04月01日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2015075131

  2015年04月01日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2015075131

  2015年04月01日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2015075131

  2015年04月01日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2015075131

  2015年04月01日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2016074967

  2016年04月04日

  特許分類

  H01L 21/304
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体基板の保護膜形成方法

• 特許　2016074967

  2016年04月04日

  特許分類

  H01L 21/304 622G
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体基板の保護膜形成方法

• 特許　2016074967

  2016年04月04日

  特許分類

  H01L 21/304 622P
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体基板の保護膜形成方法

• 特許　2016087647

  2016年04月26日

  特許分類

  H01L 21/308
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

• 特許　2016087647

  2016年04月26日

  特許分類

  H01L 21/308 B
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

• 特許　2016087647

  2016年04月26日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

• 特許　2016087647

  2016年04月26日

  特許分類

  H01L 21/66 N
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法

• 特許　2016088844

  2016年04月27日

  特許分類

  G01N 27/04
  測定; 試験

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  金属汚染濃度分析方法

• 特許　2016088844

  2016年04月27日

  特許分類

  G01N 27/04 Z
  測定; 試験

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  金属汚染濃度分析方法

• 特許　2016088844

  2016年04月27日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  金属汚染濃度分析方法

• 特許　2016088844

  2016年04月27日

  特許分類

  H01L 21/66 C
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  金属汚染濃度分析方法

• 特許　2016088844

  2016年04月27日

  特許分類

  H01L 21/66 N
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  金属汚染濃度分析方法

• 商標　2017020818

  2017年02月21日

  商標コード

  1
  工業用、科学用又は農業用の化学品

  表示用商標

  ＧＷ∞ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．＼環球晶圓股▲ふん▼有限公司

• 商標　2017020818

  2017年02月21日

  商標コード

  9
  科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

  表示用商標

  ＧＷ∞ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．＼環球晶圓股▲ふん▼有限公司

• 商標　2017020818

  2017年02月21日

  商標コード

  40
  物品の加工その他の処理

  表示用商標

  ＧＷ∞ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．＼環球晶圓股▲ふん▼有限公司

• 商標　2010037799

  2010年05月14日

  商標コード

  9
  科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

  表示用商標

  ＥＣＡＳ

• 特許　2010031968

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010031968

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010031968

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010031968

  2010年02月17日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010031968

  2010年02月17日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010032103

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010032103

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010032103

  2010年02月17日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010032103

  2010年02月17日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010032103

  2010年02月17日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010099770

  2010年04月23日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010099770

  2010年04月23日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010099770

  2010年04月23日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010099770

  2010年04月23日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010099770

  2010年04月23日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010148827

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 15/20
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2010148827

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2010148827

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 29/06 A
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010149974

  2010年06月30日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  B24B 37/04
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  B24B 37/04 Z
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  B24B 49/02
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  B24B 49/02 Z
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  B24B 49/12
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  H01L 21/304
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  H01L 21/304 621B
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010170012

  2010年07月29日

  特許分類

  H01L 21/304 622R
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010191256

  2010年08月27日

  特許分類

  B24B 37/04
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010191256

  2010年08月27日

  特許分類

  B24B 37/04 D
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010191256

  2010年08月27日

  特許分類

  H01L 21/304
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010191256

  2010年08月27日

  特許分類

  H01L 21/304 622R
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010191256

  2010年08月27日

  特許分類

  H01L 21/304 622W
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  研磨装置及び研磨方法

• 特許　2010207558

  2010年09月16日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2010207558

  2010年09月16日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2010207558

  2010年09月16日

  特許分類

  C30B 15/22
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2010207558

  2010年09月16日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2010207558

  2010年09月16日

  特許分類

  C30B 29/06 502J
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  B24B 37/04
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  B24B 37/04 F
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  B24B 37/04 K
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  B24B 49/10
  研削; 研磨

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  H01L 21/304
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  H01L 21/304 621A
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010208924

  2010年09月17日

  特許分類

  H01L 21/304 622S
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F057

  発明の名称

  半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010213861

  2010年09月24日

  特許分類

  H01L 21/26 T
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010234592

  2010年10月19日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010234592

  2010年10月19日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2010234592

  2010年10月19日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 29/06 502J
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011041574

  2011年02月28日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011062577

  2011年03月22日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011068925

  2011年03月25日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

• 特許　2011068925

  2011年03月25日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

• 特許　2011068925

  2011年03月25日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

• 特許　2011068925

  2011年03月25日

  特許分類

  C30B 29/06 502K
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法

• 特許　2011072339

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 15/20
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2011072339

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2011072339

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 29/06 502J
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2011072339

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 29/06 502K
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  H01L 21/324 Q
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011072584

  2011年03月29日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/322 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011076890

  2011年03月30日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011099157

  2011年04月27日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011099157

  2011年04月27日

  特許分類

  C30B 29/06 B
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011099157

  2011年04月27日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011099157

  2011年04月27日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011099157

  2011年04月27日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011122165

  2011年05月31日

  特許分類

  C30B 15/20
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011122165

  2011年05月31日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011122165

  2011年05月31日

  特許分類

  C30B 29/06 502J
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011160431

  2011年07月22日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011160431

  2011年07月22日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011160431

  2011年07月22日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011160431

  2011年07月22日

  特許分類

  C30B 29/06 502G
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011160431

  2011年07月22日

  特許分類

  C30B 29/06 502J
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  単結晶引上方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H01L 27/14 A
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H01L 27/146
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H04N 5/335 740
  電気通信技術

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011184119

  2011年08月25日

  特許分類

  H04N 5/374
  電気通信技術

  テーマコード

  4M118

  発明の名称

  固体撮像素子の製造方法

• 特許　2011189094

  2011年08月31日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  ｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

• 特許　2011189094

  2011年08月31日

  特許分類

  H01L 21/66 M
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  ｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

• 特許　2011189094

  2011年08月31日

  特許分類

  H01L 21/66 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  ｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法

• 特許　2011208810

  2011年09月26日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

• 特許　2011208810

  2011年09月26日

  特許分類

  H01L 21/324 T
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

• 特許　2011208810

  2011年09月26日

  特許分類

  H01L 21/324 W
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

• 特許　2011208810

  2011年09月26日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  C30B 29/06 502Z
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011212385

  2011年09月28日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011229330

  2011年10月19日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2011288926

  2011年12月28日

  特許分類

  C30B 15/36
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011288926

  2011年12月28日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011288926

  2011年12月28日

  特許分類

  C30B 29/06 502F
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011290202

  2011年12月29日

  特許分類

  C30B 15/00
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011290202

  2011年12月29日

  特許分類

  C30B 15/00 Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011290202

  2011年12月29日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2011290202

  2011年12月29日

  特許分類

  C30B 29/06 502Z
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 商標　2012052270

  2012年06月28日

  商標コード

  1
  工業用、科学用又は農業用の化学品

  表示用商標

  ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｊａｐａｎ＼グローバルウェーハズ・ジャパン

• 商標　2012052270

  2012年06月28日

  商標コード

  9
  科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

  表示用商標

  ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｊａｐａｎ＼グローバルウェーハズ・ジャパン

• 商標　2012052270

  2012年06月28日

  商標コード

  40
  物品の加工その他の処理

  表示用商標

  ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ　Ｊａｐａｎ＼グローバルウェーハズ・ジャパン

• 商標　2012072514

  2012年09月07日

  商標コード

  1
  工業用、科学用又は農業用の化学品

  表示用商標

  ＧＷＪ∞Ｇｌｏｂａｌ　Ｗａｆｅｒｓ　Ｊａｐａｎ

• 商標　2012072514

  2012年09月07日

  商標コード

  9
  科学用、航海用、測量用、写真用、音響用、映像用、計量用、信号用、検査用、救命用、教育用、計算用又は情報処理用の機械器具、光学式の機械器具及び電気の伝導用、電気回路の開閉用、変圧用、蓄電用、電圧調整用又は電気制御用の機械器具

  表示用商標

  ＧＷＪ∞Ｇｌｏｂａｌ　Ｗａｆｅｒｓ　Ｊａｐａｎ

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  C30B 29/06 A
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/324
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012068976

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/324 X
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの製造方法

• 特許　2012069258

  2012年03月26日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ

• 特許　2012069258

  2012年03月26日

  特許分類

  C30B 29/06 A
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ

• 特許　2012069258

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ

• 特許　2012069258

  2012年03月26日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  C30B 33/02
  結晶成長

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  H01L 21/26
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  H01L 21/26 F
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  H01L 21/26 T
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012196014

  2012年09月06日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハの熱処理方法

• 特許　2012284815

  2012年12月27日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の引き上げ方法

• 特許　2012284815

  2012年12月27日

  特許分類

  C30B 29/06 502H
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の引き上げ方法

• 特許　2013146005

  2013年07月12日

  特許分類

  C30B 29/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2013146005

  2013年07月12日

  特許分類

  C30B 29/06 504C
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2013146005

  2013年07月12日

  特許分類

  C30B 29/06 504H
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  シリコン単結晶の製造方法

• 特許　2013163958

  2013年08月07日

  特許分類

  H01L 21/322
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2013163958

  2013年08月07日

  特許分類

  H01L 21/322 Y
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F054

  発明の名称

  シリコンウェーハ及びその製造方法

• 特許　2013209038

  2013年10月04日

  特許分類

  H01L 21/66
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  シリコンウェーハの評価方法

• 特許　2013209038

  2013年10月04日

  特許分類

  H01L 21/66 N
  基本的電気素子

  テーマコード

  4M106

  発明の名称

  シリコンウェーハの評価方法