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アルディーテック株式会社

法人番号：9370001043168

アルディーテック株式会社は、 宮城県仙台市青葉区国分町３丁目１１番１３号にある法人です。

基本情報

法人番号
9370001043168
法人名称/商号
アルディーテック株式会社
法人名称/商号（カナ）
アルディーテック
法人名称/商号（英語）
-
所在地
〒9800803
宮城県仙台市青葉区国分町３丁目１１番１３号
代表者
-
資本金
-
従業員数

-

営業品目
-
事業概要

-

設立年月日
-
創業年
-
データ最終更新日
2018年06月15日

特許情報

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/02
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/02 B
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/20
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/28
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/28 301B
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/329
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/336
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/12
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/47
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/48 D
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/48 P
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/739
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652G
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652H
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652M
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652T
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 655A
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658E
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658F
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658G
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658K
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/872
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/04
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/04 E
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 33/00 186
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 33/32
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01S 5/343
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2013019159

    2013年02月04日
    特許分類
    H01S 5/343 610
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    C30B 25/18
    結晶成長
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    C30B 29/38
    結晶成長
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    C30B 29/38 D
    結晶成長
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    C30B 33/10
    結晶成長
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/20
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/205
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/329
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 21/336
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/12
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/739
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652G
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652H
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 652T
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 655B
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658A
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/78 658E
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/86 301D
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/86 301P
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 29/872
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/04 460
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/06 500
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/075
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/10
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/10 A
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 31/18
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 33/22
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01L 33/32
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01S 5/343
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

  • 特許　2017180808

    2013年02月04日
    特許分類
    H01S 5/343 610
    基本的電気素子
    テーマコード
    5F111

    発明の名称

    絶縁ゲート型電界効果トランジスタ